記憶體的套條和單條有什麼不同

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記憶體的套條和單條有什麼不同

這個相差大了，記憶體套裝，雙通道記憶體速度是同頻率單條的兩倍，因為有兩個單條效能同時輸出呀。四通道的速度是單條的四倍！

單條8g和兩條4g記憶體有什麼不同，哪個更好？

兩條4G的更好，但要選同一批次生產的，這樣可以組合成雙通道，讀寫速度更快些。但實際應用起來感覺不明顯

記憶體條的窄條和寬條有什麼不同？

窄條是從DDR2時代開始出現的，DDR2記憶體顆粒採用BGA封裝，相對老舊的DDR的TSOP封裝來說，佔面積小很多，可以用更小面積的基板進行記憶體的製造（這就是我們常稱的“窄條”）不過初期的時候DDR記憶體元件庫存還比較多，又剛好趕上了07年的金融海嘯，為了節省成本就採用了DDR的寬基板來封裝DDR2記憶體，所以初期的時候DDR與DDR2記憶體都是寬板的。隨著時間的推移，適合DDR2記憶體的小面積基板才開始出現。所以不管是窄條還是寬條，都是一樣的，只不過採用的基板不同而已。影響記憶體效能和容量的關鍵是記憶體顆粒。 這是DDR記憶體： 這是初期的DDR2記憶體，可以看到採用的基板還是DDR的，顆粒封裝位置都暴露了： 這個才是後期釋出的DDR2記憶體：

SD和DDR的記憶體條有什麼不同？

2種不同型別的記憶體條.
一個主版不能同時用DDR和SD!
看你的主機板是支援上面其中那種的!
什麼是DDR記憶體及與SDRAM記憶體的區別
??DDR SDRAM（Dual date rate SDRSM）又簡稱DDR，翻譯成中文就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR SDRAM也可以說是目前廣泛應用的 SDRAM的升級換代版本，在它的催生下，2000年下半年的記憶體止跌不穩已經徹底摧毀了SDRAM多年營造起來的價格市場。從技術上分析，DDR SDRAM最重要的改變是在介面資料傳輸上，其在時鐘訊號上升緣與下降緣時各傳輸一次資料，這使得DDR的資料傳輸速率為傳統SDRAM的兩倍，由於僅多采用了下降緣訊號，因此並不會造成能耗增加。至於定址與控制訊號則與傳統SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。另一個明顯的改變是增加了一個雙向的資料控制接腳（Data Strobe，DQS）。當系統中某個控制器發出一個寫入命令時，一個DQS訊號便會由記憶體控制器送出至記憶體。
??此外，傳統SDRAM的DQS接腳則用來在寫入資料時（單向：記憶體控制器?DRAM）做資料遮罩（Data Mask）用。由於資料、資料控制訊號（DQS）與DM同步傳輸，不會有某個資料傳輸較快，而另外的資料傳輸較慢的skew（時間差）以及Flight Time（控制訊號從記憶體控制器出發，到資料傳回記憶體控制器的時間）不相同的問題。此外，DDR的設計可讓記憶體控制器每一組DQ／DQS／DM與DIMM上的顆粒相接時，維持相同的負載，減少對主機板的影響。在記憶體內部架構上，傳統SDRAM屬於×8組態（anization），表示記憶體核心中的I／O暫存器有8位資料I／O，不過對於×8組態的DDR SDRAM而言，記憶體核心中的I／O暫存器卻是16位的，一次可傳輸16位資料，在時鐘訊號上升緣時輸出8位資料，在下降緣再輸出8位資料。此外，為了保持較高的資料傳輸率，電氣訊號必須要求能較快改變，因此，DDR改為支援電壓為2.5V的SSTL2訊號標準。
??DDR 記憶體從型號上看分為兩種，一種叫做 PC 1600，每秒鐘可傳輸 1.6GB 的資料，正好是目前100兆赫 SDRAM 記憶體的兩倍；另一種叫做 PC 2600，峰值資料傳輸率可達每秒2.6GB。與價格昂貴的Rambus 相比，DDR有如下幾個優勢：一是由於它是在 SDRAM 記憶體技術的基礎上開發的，因此不僅與目前的個人電腦體系架構有著很好的相容性，而且開發生產成本低廉。二是DDR較少存在許可協議的問題。記憶體廠商要生產 Rambus 記憶體條，必須向 Rambus 公司繳納一筆不菲的費用，以獲得生產許可證，這無疑影響到廠家的利潤。而DDR記憶體的規格是免費提供的。三是各大廠商的支援。2001年，包括IBM等在內的諸多IT巨頭都宣佈將支援 DDR 記憶體，特別是IBM 還專門設計了兩組晶片組，既支援 DDR 記憶體，也能大幅提高系統匯流排的速度。而AMD 公司即將全面上市的760晶片組（支援單處理器電腦）和770晶片組（支援雙處理器電腦）將全面支援200兆赫和266兆赫系統匯流排，也是為了滿足 DDR 記憶體技術標準而設計的。

1代記憶體條和2代記憶體條 有什麼不同？

整合的顆粒數不同,容量不同,頻率不同,二者的記憶體擴充套件插槽是不一樣的!所以不存在是否相容的問題,而是說主機板上的記憶體插槽支援哪種記憶體型號!!! 具體如下:
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2記憶體擁有兩倍於標準DDR記憶體的4bIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令資料的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2記憶體中，後者的記憶體延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的頻寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的頻寬，它們都是3.2Gb/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。
2、封裝和發熱量：
DDR2記憶體技術最大的突破點其實不在於使用者們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。
DDR記憶體通常採用TSOp晶片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2記憶體均採用FbGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOp封裝形式，FbGA封裝提供了更好的電氣效能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2記憶體採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
DDR2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高訊號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高訊號的完整性；通過控制電壓來提高訊號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主機板上面為了防止資料線終端反射訊號需要大量的終結電阻。它大大增加了主機板的製造成本。實際上，不同的記憶體模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了資料線的訊號比和反射率，終結電阻小則資料線訊號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則資料線的信噪比高，但是訊號反射也會增加。因此主機板上的終結電阻並不能非常好的匹配記憶體模組，還會在一定程度上影響訊號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的訊號波形。使用DDR2不但可以降低主機板成本，還得到了最佳的訊號品質，這是DDR不能比擬的。
post CAS：它是為了提高DDR II記憶體的利用效率而設定的。在post CAS操作中，CAS訊號（讀寫/命令）能夠 ... 到RAS訊號後面的一個時鐘週期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設定。由於CAS訊號放在了RAS訊號後面一個時鐘週期，因此ACT和CAS訊號永遠也不會產生碰撞衝突。
總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。

鎂光記憶體條和十銓記憶體條的有什麼不同

只要介面一樣 都可以通用的 比如 現在是DDR3 還有就是頻率 這是決定價格的因數，品牌差別價格相差不大

2G的記憶體條和8G的記憶體條有什麼不同

主要在記憶體容量上不同。
計算機的記憶體容量通常是指隨機儲存器（RAM)的容量，是記憶體條的關鍵性引數。記憶體的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等，一般而言，記憶體容量越大越有利於系統的執行。
進入21世紀初期，桌上型電腦中主流採用的記憶體容量為4GB或8GB，512MB、256MB的記憶體已較少採用。 系統對記憶體的識別是以Byte（位元組）為單位，每個位元組由8位二進位制陣列成，即8bit（位元，也稱“位”）。按照計算機的二進位制方式，1Byte=8bit；1KB=1024Byte；1MB=1024KB；1GB=1024MB；1TB=1024GB。

記憶體條`DDR和DDR2有什麼不同

DDR和DDR2的結構和頻率不一樣 與DDR相比，DDR2最主要的改進是在記憶體模組速度相同的情況下，可以提供相當於DDR記憶體兩倍的頻寬。這主要是通過在每個裝置上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個裝置上DDR記憶體只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2記憶體上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個資料。 DDR2與DDR的區別示意圖 與雙倍速執行的資料緩衝相結合，DDR2記憶體實現了在每個時鐘週期處理多達4bit的資料，比傳統DDR記憶體可以處理的2bit資料高了一倍。DDR2記憶體另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。 然而，儘管DDR2記憶體採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主機板才能搭配DDR2記憶體，因為DDR2的物理規格和DDR是不相容的。首先是介面不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR記憶體為184針；其次，DDR2記憶體的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR記憶體的2.5V不同。 DDR2的定義： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子裝置工程聯合委員會）進行開發的新生代記憶體技術標準，它與上一代DDR記憶體技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但DDR2記憶體卻擁有兩倍於上一代DDR記憶體預讀取能力（即：4bit資料讀預取）。換句話說，DDR2記憶體每個時鐘能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫資料，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度執行。 此外，由於DDR2標準規定所有DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣效能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高記憶體的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對記憶體頻寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定執行頻率的DDR2記憶體將是大勢所趨。 DDR2與DDR的區別： 在瞭解DDR2記憶體諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的資料。 1、延遲問題： 從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2記憶體擁有兩倍於標準DDR記憶體的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令資料的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。 這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2記憶體中，後者的記憶體延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的頻寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的頻寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。 2、封裝和發熱量： DDR2記憶體技術最大的突破點其實不在於使用者們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。 DDR記憶體通常採用TSOP晶片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣效能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。 DDR2記憶體採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。 DDR2採用的新技術： 除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高訊號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高訊號的完整性；通過控制電壓來提高訊號品質。 ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主機板上面為了防止資料線終端反射訊號需要大量的終結電阻。它大大增加了主機板的製造成本。實際上，不同的記憶體模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了資料線的訊號比和反射率，終結電阻小則資料線訊號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則資料線的信噪比高，但是訊號反射也會增加。因此主機板上的終結電阻並不能非常好的匹配記憶體模組，還會在一定程度上影響訊號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的訊號波形。使用DDR2不但可以降低主機板成本，還得到了最佳的訊號品質，這是DDR不能比擬的。 Post CAS：它是為了提高DDR II記憶體的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS訊號（讀寫/命令）能夠 ... 到RAS訊號後面的一個時鐘週期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設定。由於CAS訊號放在了RAS訊號後面一個時鐘週期，因此ACT和CAS訊號永遠也不會產生碰撞衝突。 總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。

安一條512記憶體和安兩條256有什麼不同

近幾年的機子支援雙通道記憶體模式，兩條記憶體可以構成雙通道執行模式，理論上比單通道記憶體效能要好

記憶體條與顯示卡有什麼不同

記憶體是緩衝的作用，顯示卡是負責顯示影象處理的，遊戲是存在硬碟上的